據韓媒報道，蘋果正計劃在2027年推出的iPhone系列（包含20周年紀念機型）中首次引入移動高帶寬內存（HBM）技術，這項突破性升級有望使人工智能處理速度實現指數級提升。知情人士透露，蘋果已著手重新設計應用處理器架構，并可能將HBM直接連接至圖形處理器單元（GPU），這一配置方案與蘋果自研芯片Mac的"統一內存"架構異曲同工。
供應鏈消息顯示，三星電子與SK海力士兩大存儲巨頭正在加速研發移動端HBM封裝技術。三星采用"垂直銅柱堆疊"(VCS)方案，SK海力士則開發"垂直線路扇出"(VFO)技術，雙方預計2026年后實現量產，屆時將為爭奪蘋果訂單展開激烈競爭。
除了內存革命，20周年紀念款iPhone還將帶來多項創新：
顯示技術：采用16納米FinFET工藝的OLED驅動芯片，功耗降低30%；四面無邊框設計或成現實，三星專供的M16顯示材料有望消除屏幕黑邊
影像突破：通過透明聚酰亞胺基板與特殊透鏡技術，解決屏下攝像頭光學損耗難題
電池革新：100%硅基陰極材料將取代石墨，在提升能量密度的同時支持更強AI算力
業內人士分析，此次升級標志著蘋果在移動AI競賽中加碼硬件軍備。通過HBM技術，iPhone處理器可突破傳統LPDDR內存的帶寬限制，實現最高320GB/s的數據傳輸速度，這對需要實時處理大量數據的生成式AI應用至關重要。