4 月 23 日消息，三星半導(dǎo)體今日宣布，其第九代 V-NAND 1Tb TLC 產(chǎn)品開(kāi)始量產(chǎn)，比三星上一代產(chǎn)品提高約 50% 的位密度（bit density），通過(guò)通道孔蝕刻技術(shù)（channel hole etching）提高生產(chǎn)效率。

憑借當(dāng)前三星最小的單元尺寸和最薄的疊層厚度，三星第九代 V-NAND 的位密度比第八代 V-NAND 提高了約 50%。單元干擾避免和單元壽命延長(zhǎng)等新技術(shù)特性的應(yīng)用提高了產(chǎn)品的質(zhì)量和可靠性，而消除虛通道孔則顯著減少了存儲(chǔ)單元的平面面積。

此外，三星的“通道孔蝕刻”技術(shù)通過(guò)堆疊模具層來(lái)創(chuàng)建電子通路，可在雙層結(jié)構(gòu)中同時(shí)鉆孔，達(dá)到三星最高的單元層數(shù)，從而最大限度地提高了制造生產(chǎn)率。隨著單元層數(shù)的增加，穿透更多單元的能力變得至關(guān)重要，這就對(duì)更復(fù)雜的蝕刻技術(shù)提出了要求。

第九代 V-NAND 配備了下一代 NAND 閃存接口“Toggle 5.1”，可將數(shù)據(jù)輸入 / 輸出速度提高 33%，最高可達(dá)每秒 3.2 千兆位（Gbps）。除了這個(gè)新接口，三星還計(jì)劃通過(guò)擴(kuò)大對(duì) PCIe 5.0 的支持來(lái)鞏固其在高性能固態(tài)硬盤市場(chǎng)的地位。

與上一代產(chǎn)品相比，基于三星在低功耗設(shè)計(jì)方面取得的進(jìn)步，第九代 V-NAND 的功耗也降低了 10%。

三星已于本月開(kāi)始量產(chǎn)第九代 V-NAND 1Tb TLC 產(chǎn)品，并將于今年下半年開(kāi)始量產(chǎn)四層單元（QLC）第九代 V-NAND。

韓媒 Hankyung 稱三星第 9 代 V-NAND 閃存的堆疊層數(shù)是 290 層，不過(guò)IT之家早前報(bào)道中提到，三星在學(xué)術(shù)會(huì)議上展示了 280 層堆疊的 QLC 閃存。

半導(dǎo)體行業(yè)觀察機(jī)構(gòu) TechInsights 表示三星的第 10 代 V-NAND 閃存有望達(dá)到 430 層，進(jìn)一步提升堆疊方面的優(yōu)勢(shì)。