ZEN5桌面和移動(dòng)端命名割裂：
技嘉在上個(gè)月確認(rèn)采用ZEN5架構(gòu)的下一代桌面銳龍?zhí)幚砥鲗⒈幻麨镽yzen 9000系列。近日聯(lián)想ThinkPad T14 Gen5筆記本的宣傳資料中，則將代號(hào)Strix Point的ZEN5架構(gòu)銳龍移動(dòng)處理器標(biāo)注為Ryzen 8050系列。
根據(jù)AMD在2022年公布的新處理器命名方案，Ryzen 8050中的8代表2024年產(chǎn)品，5代表在ZEN5架構(gòu)。
Strix Point和當(dāng)前的Hawk Point一樣采用單片設(shè)計(jì)（區(qū)別于chiplets小芯片），采用臺(tái)積電4nm工藝制造，最多提供4個(gè)Zen5和8個(gè)Zen5c，共計(jì)12核心24線程。Strix Point內(nèi)置的XDNA2 NPU預(yù)計(jì)將提供45到50 TOPS的AI算力。
到目前為止AMD公開確認(rèn)將在今年發(fā)布的ZEN5處理器僅有Strix Point，AMD有可能會(huì)在即將到來的Computex 2024上正式宣布。
-70℃制造3D閃存：低溫蝕刻效率更高
據(jù)韓國媒體報(bào)道，SK海力士正在測(cè)試日本半導(dǎo)體設(shè)備商?hào)|京電子的低溫蝕刻設(shè)備，新設(shè)備有可能被用于未來400層以上新型3D NAND閃存的制造。
東京電子的低溫蝕刻設(shè)備在零下70度條件下運(yùn)行，能夠在33分鐘內(nèi)完成10微米深度的高深寬比蝕刻，相比在0到30度內(nèi)工作的現(xiàn)有蝕刻工具快三倍以上，可大幅提升3D NAND閃存的生產(chǎn)效率。新設(shè)備還將用氟化氫取代全氟化碳類溫室氣體，幫助構(gòu)建綠色制造體系。